cmos digital image sensor 文章最新資訊

2026 傳感器大會(huì)：數(shù)字 RF 技術(shù)有望打破智能眼鏡普及瓶頸

2026 年 5 月 7 日，Sensors Converge 2026 傳感器大會(huì)期間，行業(yè)觀點(diǎn)指出，數(shù)字射頻架構(gòu)或?qū)⒊蔀橥苿?dòng)消費(fèi)級智能眼鏡規(guī)?；涞氐年P(guān)鍵突破口。自 2012 年谷歌眼鏡問世以來，智能眼鏡一直被視作極具潛力的可穿戴產(chǎn)品，但長期受性能、續(xù)航、佩戴舒適度及可靠性等問題制約，始終難以大規(guī)模普及。InnoPhase IoT 認(rèn)為，通信連接硬件的落后，是阻礙智能眼鏡走向大眾市場的核心因素之一。想要真正普及，智能眼鏡的通信芯片必須滿足小型化、超低功耗、低成本三大條件，做到無感融入普通鏡框設(shè)計(jì)。本屆
關(guān)鍵字： Sensors Converge 2026 數(shù)字 RF CMOS 射頻 Talaria 6 智能眼鏡超低功耗 Wi-Fi 6 邊緣 AI 多協(xié)議互聯(lián) Matter 協(xié)議可穿戴設(shè)備

5V 單片機(jī)與5V 耐壓單片機(jī)有何區(qū)別，為什么至關(guān)重要

看懂單片機(jī)規(guī)格書，就像研讀法律條文一樣，每一個(gè)措辭都至關(guān)重要。“5V 單片機(jī)” 和 “5V 耐壓單片機(jī)”，僅僅多了耐壓兩個(gè)字，器件特性卻天差地別?！?V 單片機(jī)：指內(nèi)核可以采用 5V 電壓供電正常工作?！?V 耐壓單片機(jī)：只是IO 引腳可以承受 5V 電平輸入，不代表內(nèi)核是 5V 供電。這個(gè)區(qū)別看著細(xì)微，但做 5V 邏輯電路設(shè)計(jì)時(shí)，是必須搞懂的關(guān)鍵參數(shù)。如今行業(yè)整體在往 3.3V、1.8V、1.2V 低壓邏輯過渡，但 5V 電平依然被大量沿用，核心原因是高低電平噪聲容限更大。噪聲容限決定了系統(tǒng)能穩(wěn)定識別高
關(guān)鍵字： 5V 單片機(jī) 5V 耐壓單片機(jī) IO 電平兼容 ESD 保護(hù)電路多電壓 IO (MVIO) 電平轉(zhuǎn)換 CMOS 功耗公式噪聲容限微芯 PIC32CM AVR DB

索尼牽手臺積電，發(fā)力下一代圖像傳感器

索尼半導(dǎo)體解決方案公司與臺積電就下一代圖像傳感器戰(zhàn)略合作簽署初步協(xié)議索尼與臺積電今日宣布，雙方已簽署一份無約束力諒解備忘錄（MOU），擬在下一代圖像傳感器的研發(fā)與制造領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。根據(jù)合作規(guī)劃，索尼與臺積電擬設(shè)立合資公司（JV），由索尼擔(dān)任控股股東并負(fù)責(zé)運(yùn)營管理，并在索尼位于日本熊本縣越市的新建晶圓廠內(nèi)搭建研發(fā)與產(chǎn)線。雙方將通過合資公司，結(jié)合索尼在圖像傳感器設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)積累，以及臺積電在先進(jìn)工藝與制造方面的核心優(yōu)勢，全面提升圖像傳感器性能。諒解備忘錄簽署后，雙方正就合資公司的潛在投資事宜展開磋商
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萊迪思聯(lián)手英偉達(dá)推出 Sensor Bridge 方案加速邊緣 AI 產(chǎn)品落地

當(dāng)下各大廠商爭相研發(fā)高性能 AI 大模型，很多從業(yè)者習(xí)慣觀望等待主流模型定型后再做產(chǎn)品開發(fā)。但對產(chǎn)品設(shè)計(jì)師而言，不必一味觀望，應(yīng)主動(dòng)利用現(xiàn)有技術(shù)，把 AI 模型能力落地為可用、可靠、具備實(shí)際價(jià)值的商業(yè)化產(chǎn)品。萊迪思半導(dǎo)體與英偉達(dá)的合作，標(biāo)志著 AI 時(shí)代產(chǎn)品設(shè)計(jì)思路迎來轉(zhuǎn)變。雙方推出Sensor Bridge 參考設(shè)計(jì)，標(biāo)準(zhǔn)化了從傳感器到 AI 推理的完整數(shù)據(jù)鏈路，大幅降低了開發(fā)近實(shí)時(shí)感知、分析與響應(yīng)系統(tǒng)的門檻。采用模塊化搭建方式，能有效加快研發(fā)進(jìn)度，打造更智能、響應(yīng)更快的終端產(chǎn)品。隨著智能算力向數(shù)據(jù)產(chǎn)生
關(guān)鍵字：萊迪思半導(dǎo)體英偉達(dá) Sensor Bridge 邊緣 AI FPGA 開發(fā)板人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí) 嵌入式處理評估/開發(fā)工具物聯(lián)網(wǎng)物聯(lián)網(wǎng) 感應(yīng) 半導(dǎo)體與開發(fā)工具

直擊Sensor Shenzhen 2026！ADI前沿傳感技術(shù)與系統(tǒng)級方案一覽

科技浪潮再次涌動(dòng)鵬城！萬眾矚目的Sensor Shenzhen 2026盛大開幕，全球傳感器產(chǎn)業(yè)鏈的知名企業(yè)齊聚于此，共謀智能化變革的底層密碼。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，ADI攜旗下的前沿智能感知與系統(tǒng)級控制方案重磅亮相，從機(jī)器人的精密運(yùn)動(dòng)到新能源的安全監(jiān)控，為各領(lǐng)域的數(shù)智化躍升注入強(qiáng)勁動(dòng)能。ADI展位號7B355具身智能與精密運(yùn)動(dòng)控制伴隨通用機(jī)器人與高精密工業(yè)機(jī)械的發(fā)展，系統(tǒng)對動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力和多維數(shù)據(jù)協(xié)同的要求急劇增加。ADI本次在現(xiàn)場展示了從感知輸入到運(yùn)動(dòng)執(zhí)行的高性能技術(shù)解決方案。AI靈巧手皮膚感知系統(tǒng)
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從智駕到低空飛行器：世強(qiáng)硬創(chuàng)Sensor Shenzhen帶來高精度感知解決方案

隨著智能化程度不斷提升，單一傳感器已經(jīng)很難滿足復(fù)雜場景的需求。從2D升級到3D，從獨(dú)立工作到多傳感器協(xié)同融合，正成為解決復(fù)雜系統(tǒng)感知問題的必然方向。與此同時(shí)，AI云邊、6G、AI電源等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，對底層硬件提出了更高要求。創(chuàng)新正在從感知層向更基礎(chǔ)的硬件層深入，推動(dòng)算力、連接和能效的全面提升。展會(huì)現(xiàn)場4月14-16日，深圳國際傳感器與應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（Sensor Shenzhen）正在深圳福田會(huì)展中心舉行。世強(qiáng)硬創(chuàng)攜豐富的高性能傳感器、關(guān)鍵元器件及系統(tǒng)解決方案亮相展位8C312，重點(diǎn)覆蓋智能工業(yè)、機(jī)
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思特威推出全新1200萬像素AI眼鏡應(yīng)用CMOS圖像傳感器

今天思特威（SmartSens，股票代碼：688213）宣布，全新推出1200萬像素AI眼鏡應(yīng)用CMOS圖像傳感器——SC1220IOT。SC1220IOT基于思特威SmartClarity?-XL技術(shù)平臺打造，采用55nm Stacked BSI工藝制程，搭載思特威先進(jìn)的SFCPixel?-2及ColGain HDR?技術(shù)，支持低功耗常開Always-On功能，具備低功耗、高動(dòng)態(tài)范圍、低噪聲等多項(xiàng)核心性能優(yōu)勢。SC1220IOT出色的綜合成像性能，可充分滿足AI眼鏡及AR/VR等智能可穿戴設(shè)備的高質(zhì)量影
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IPERLITE任務(wù)上的IMEC高光譜傳感器

IPERLITE任務(wù)是一次在軌演示（IOD）飛行，旨在從510公里軌道展示下一代高光譜成像技術(shù)。IPERLITE任務(wù)的核心是由imec開發(fā)的高光譜傳感器，這是經(jīng)過多年ESA支持的研發(fā)成果，涉及多個(gè)比利時(shí)合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展。IPERLITE并非作為實(shí)際運(yùn)行衛(wèi)星，而是作為試驗(yàn)平臺——訪問農(nóng)業(yè)遺址并收集光譜數(shù)據(jù)，以評估其創(chuàng)新有效載荷在真實(shí)軌道條件下的性能。IPERLITE為日益增長的緊湊型高光譜任務(wù)做出貢獻(xiàn)，這些任務(wù)旨在普及光譜數(shù)據(jù)的獲取，補(bǔ)充CHIME和SBG等大型
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CMOS 2.0 正在推進(jìn)半導(dǎo)體拓展極限

關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動(dòng)CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。CMOS 2.0 利用先進(jìn)的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN）來提高電源效率并實(shí)現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號的無縫集成，減少紅外壓降并增強(qiáng)移動(dòng) SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
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精于微智于芯：盛思銳微型化傳感器亮相SENSOR CHINA 2025

共話十年變遷，共謀未來新局。9月24日至26日，中國（上海）國際傳感器技術(shù)與應(yīng)用展覽會(huì)（SENSOR CHINA 2025）在上海跨國采購會(huì)展中心隆重舉辦，迎來其具有里程碑意義的十周年。作為SENSOR CHINA的“老朋友”，創(chuàng)新傳感器解決方案的提供者——盛思銳（Sensirion）以“精于微·智于芯”為主題精彩亮相本屆展會(huì)，多維度呈現(xiàn)其在傳感器微型化、集成化與智能化領(lǐng)域的前沿突破性成果，深刻詮釋了“感知十年，聯(lián)接無限”的展會(huì)愿景。盛思銳現(xiàn)場展臺在萬物互聯(lián)向萬物智聯(lián)演進(jìn)的浪潮中，傳感器的“微型化”已成為
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定義中國傳感產(chǎn)業(yè)的全球坐標(biāo)，書寫智能感知的未來

2025年上半年，中國電子行業(yè)在 AI 與智能制造雙輪驅(qū)動(dòng)下活力迸發(fā)，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長11.1%，出口、AI 終端創(chuàng)新與國產(chǎn)軟硬件生態(tài)均呈向好態(tài)勢。作為感知層核心的傳感器，正成為技術(shù)變革與產(chǎn)業(yè)躍遷的關(guān)鍵。其技術(shù)矩陣已實(shí)現(xiàn)多維突破，多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率也大幅提升，本土頭部企業(yè)也開始躋身全球供應(yīng)鏈前列，構(gòu)建起從基礎(chǔ)元件到系統(tǒng)集成的全鏈條競爭力。亮眼成績源于十年積淀。傳感器產(chǎn)業(yè)在2025年將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健躍遷，而與行業(yè)同行的SENSOR CHINA，作為全亞洲權(quán)威性最強(qiáng)、專業(yè)性最高、規(guī)模最大的傳感
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走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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GlobalFoundries 與中國代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級 CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國為中國”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級 CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來自在中國有需求的國內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
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CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺應(yīng)用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 傳感器 HDR